介質(zhì)損耗的基本形式

電導(dǎo)損耗：電導(dǎo)損耗是由電介質(zhì)中的泄漏電流引起的，氣體、液體和固體電介質(zhì)中都存在這種形式的損耗。電介質(zhì)中的泄漏電流與電源頻率無關(guān)，所以電導(dǎo)損耗在交、直流電壓下都存在。

極化損耗：極化損耗是由有損極化引起的，在偶極性電介質(zhì)及復(fù)合電介質(zhì)中存在這種形式的損耗。在直流電壓下，由于極化的建立僅在加壓瞬間出現(xiàn)一次，與電導(dǎo)損耗相比可忽略不計(jì)。而在交流電壓下，隨著電壓極性的改變，不斷有極化建立，極化損耗的大小與電源的頻率有很大關(guān)系。

游離損耗：游離損耗是由氣體電介質(zhì)在電場的作用下出現(xiàn)局部放電引起的。氣體電介質(zhì)及含有氣泡的液體、固體電介質(zhì)中都存在這種形式的損耗。游離損耗僅在外加電壓超過一定值時(shí)才出現(xiàn)，且隨電壓升高而急劇增大。

介質(zhì)損耗角正切值的基本形式

介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）是衡量電介質(zhì)在交流電壓作用下?lián)p耗程度的物理量，它表示為介質(zhì)損耗角δ的正切值。在等值電路中，tanδ可以表示為：

并聯(lián)等值電路：tanδ = IR/IC = 1/(ωCR)，其中IR為有功電流分量，IC為無功電流分量，ω為角頻率，C為電容。

串聯(lián)等值電路：tanδ = ωrC = R/(ωC)，其中r為電阻，C為電容，R為電阻。

介質(zhì)損耗因數(shù)的基本形式

介質(zhì)損耗因數(shù)（DF）通常用介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）表示，是電介質(zhì)在交流電場作用下發(fā)熱而損耗的能量與存儲能量的比值。它反映了電介質(zhì)的損耗程度，是衡量電介質(zhì)性能的重要指標(biāo)。介質(zhì)損耗因數(shù)越小，表明材料的損耗越低，品質(zhì)越好。

這些基本形式有助于理解和評估電介質(zhì)在不同條件下的損耗特性，對電氣設(shè)備的設(shè)計(jì)和絕緣材料的選擇具有重要意義。