介質(zhì)損耗因數(shù)測量旨在量化絕緣介質(zhì)在交流電場作用下的能量損耗特性。當介質(zhì)承受交流電壓時，其內(nèi)部會產(chǎn)生極化損耗、沿面爬電損耗及局部放電損耗等多種損耗機制，這些損耗導致電壓與電流之間的相位差偏離理想電容的90°相位關(guān)系。該偏離角的余角被定義為介質(zhì)損失角δ，其正切值tanδ即為介質(zhì)損耗因數(shù)，它直接表征了絕緣系統(tǒng)電容分量的損耗程度，是評估介質(zhì)絕緣性能、老化狀態(tài)及缺陷的關(guān)鍵物理參數(shù)。

介質(zhì)損耗因數(shù)的表示方法

介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ的表示方法源于介質(zhì)的并聯(lián)等效電路模型，其中損耗功率可表述為  W = UI_C tanδ，推導得 tanδ= I_R / I_C，即流過介質(zhì)電阻性電流與電容性電流的比值。為消除絕緣結(jié)構(gòu)幾何尺寸差異對評估結(jié)果的影響，便于在不同產(chǎn)品或材料間進行橫向比較，通常采用百分比形式表示為tanδ= （I_R / I_C ）×100%。這一標準化表示方法將損耗特性歸一化，使得絕緣性能的判定更為客觀和統(tǒng)一。